1980年代後半に赤崎　勇　教授（当時名古屋大学教授、現名城大学教授）のグループはGaN系青色LEDを実現可能にした2つの画期的な技術の開発に成功しました：

・      低温堆積緩衝層技術による高品質GaN結晶の作製（1986年）

・     p型GaNの実現と、pn接合によるGaN系青色LEDの実現（1989年）

これにより、1990年代終わりにはGaN系青色LEDが様々な照明用途に幅広く応用されるようになりました。またこれらの技術は上山LEDの励起光源であるGaN系近紫外LEDにも使われています。

2004年に上山　智　教授は偶然、不純物が添加された炭化ケイ素が近紫外光励起で可視発光することを見出し、この発光がDAP発光によるものであることを解明しました。更に、この原理を応用すれば、高効率の白色LEDが作れる可能性を見出しました。

90年代初期、 ヤキモバ　ロジツア　教授(Prof. Rositza Yakimova)は、ほぼ無欠陥の炭化ケイ素を結晶成長技術の重要性に気付き、数年間に渡る研究の結果、そのような高品品質結晶が実現可能な成長炉の作製に成功しました。

エルシードは上記の様ないくつもの画期的発明を基に、次世代の白色LED「上山LED」を製品化することにチャレンジしています。